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Si7625DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
80
64
48
V GS = 10 V thru 4 V
10
8
6
T C = 125 °C
32
16
0
V GS = 3 V
4
2
0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.012
0.010
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
6000
4800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
V GS =4.5V
C iss
0.008
0.006
3600
2400
0.004
V GS =10V
1200
C oss
C rss
0.002
0
0
16
32
48
64
80
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 10 A
V DS = 15 V
1.4
I D = 15 A
V GS = 10 V
V DS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 20 V
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
0
18
36
54
72
90
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65737
S10-0638-Rev. A, 22-Mar-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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